IT之家 2 月 15 日消息，TechInsights 和 SemiWiki 于 2 月 10 日發布博文，披露了英特爾 Intel 18A（1.8nm 級別）和臺積電 N2（2nm 級別）工藝上的關鍵信息。整體而言，Intel 18A 工藝在性能方面更勝一籌，而臺積電的 N2 工藝則可能在晶體管密度方面更具優勢。

TechInsights 的分析顯示，臺積電 N2 工藝的高密度 (HD) 標準單元晶體管密度達到了 313 MTr / mm^2，遠超 Intel 18A (238 MTr / mm^2) 和三星 SF2 / SF3P (231 MTr / mm^2)。

IT之家注：現代高性能處理器通常混合使用高密度 (HD)、高性能 (HP) 和低功耗 (LP) 標準單元，但目前尚不清楚英特爾和臺積電的 HP 和 LP 標準單元的性能對比情況。

TechInsights 認為，臺積電 N2 工藝在 HD 標準單元上具有晶體管密度優勢，但在其他類型的標準單元上優勢可能并不明顯；在性能方面，英特爾的 Intel 18A 工藝將領先于臺積電的 N2 和三星的 SF2。

但需要注意的是，TechInsights 的評估方法存在一定爭議，他們以臺積電的 N16FF 和三星的 14nm 工藝作為基準，并結合兩家公司宣布的節點到節點的性能改進進行預測，這種方式可能不夠準確。

Intel 18A 工藝支持 PowerVia 背面供電網絡，這可能使其在性能和晶體管密度方面優于不支持該技術的臺積電 N2，但并非所有 18A 芯片都會使用 PowerVia 技術。

英特爾計劃于 2025 年年中開始量產 18A 工藝，首批產品將是 Core Ultra 3 系列“Panther Lake”處理器。

臺積電的 N2 工藝預計將于 2025 年底開始大規模生產，首批產品預計最早將于 2026 年年中上市，大眾市場產品預計將于 2026 年秋季上市。三星尚未公布 SF2 工藝的具體量產時間，僅表示將在 2025 年。